图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BSP603S2L |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 33 mOhm @ 2.6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 50µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 42nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1390pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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